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Producer® Selectra™ Etch

Producer® Selectra™ Etch システムは、3D ロジックおよびメモリチップのさらなるスケーリングにおいて、ムーアの法則を継続していく、前例のない能力を提供します。同プロセスでは、一層から複数層まで、これまでにない選択制で膜上の目標物質を除去します。

チップ設計においてフィーチャーはますます小さく、アスペクト比は高くなり、先進の集積回路では、より高密度にパッケージされています。デバイスが精確にパターニングされ、クリーンであることは、究極の信頼性と性能を得る上で非常に重要です。不完全な異物の除去や、不適切な選択制による限界寸法(CD)の拡大は、デバイスの性能や歩留まりに悪影響を及ぼします。高アスペクト比のフィーチャーにおけるパターンの変形(ラインの屈折やパターンの崩れ)は、次世代デバイスの歩留まりにも影響を及ぼす可能性があります。

Selectra プロセスは、これらの問題をすべて解決します。独自のプロセスにより、先進の FinFET に対しては原子レベルで制御されたエッチングを行い、3D NAND の凹部を均質化し、高アスペクト比の DRAM 構造を傷めずにクリーニングすることができます。

同システムは、さまざまな絶縁体、金属、および半導体の膜を原子レベルの精密さで取り除く、調節可能な選択性を達成するために、ラジカルベースの化学薬品を採用しています。このテクノロジーは、今日の FinFET デバイスの限界を拡張し、未来のゲートオールアラウンド構造を可能にすることにより、ムーアの法則を推進し続ける中で重要な役割を担います。

従来の選択制の低いプロセスでは、NAND スタックの下部よりも上
部により多くのタングステンの凹部が形成され、
デバイス性能の低下につながっていました。
タングステン選択性により、Selectraプロセスでは3D NAND
スタック全体で非常に均一な凹部エッチング
を生成するように調整することができます。

ウェットエッチングの際、材料選択性が低いと、円筒形DRAMコンデ
ンサのすべての層が広くなり、直径が大きくなってしまいます。
Selectraプロセスは円筒の直径を大きくすべ
き層にのみ、選択的に作用させることができます。
クリスタルプレーンに依存したウェットエッチング工程では、先進のロ
ジックトランジスタの小さな空間に、ポリシリコンが残ってしまいます。
Selectraプロセスは、ポリシリコンの残滓をすべて取り除き、ゲート酸化
膜フィーチャーをクリーンで、メタルゲート成膜が可能な状態にします。
ウェットエッチング後の乾燥工程において、毛管引力(スティクション)
がアスペクト比の高いフィーチャーの崩れを引き起こします。
Selectraの完全にドライなプロセスでは、
壊れやすいフィーチャーの構造が保全されます。