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Producer® eHARP™ CVD

Applied Producer eHARP (高性能高アスペクト比プロセス)は新たな、プラズマを使用しないCVD (化学気相成長)酸化膜で、次世代ジオメトリーでの浅溝分離 (STI)ユニットプロセスで要求される厳しいギャップフィルの要件を満たします。.

eHARP膜は 成長プロセスにおいてTEOS/オゾン化学反応に水蒸気を導入することで、 第1世代のHARP膜よりもギャップフィル性能が向上しました。この結果、従来よりも強固で密度の高い膜ができ、アスペクト比12:1を超える形状でシームレスかつボイドフリーのギャップフィルが可能になりました。eHARPは 32nmのロジックでのギャップフィルと、複雑な3Dアイランド形状での設計と垂直プロファイルを採用した4Xnmデバイスのアプリケーションにおいて実績があります。eHARPは 4XnmフラッシュのSTIフィルに初めて対応したCVDソリューションです。

eHARPのTEOS/オゾンをベースとしたプロセスは、ロジックデバイスにおけるトランジスタ駆動電流と、メモリデバイスでの保持時間を飛躍的に増大する歪み誘起膜を形成することにより、トランジスタの性能も向上しました。統合の煩雑さとコストも最低限に抑えています。Applied eHARP膜は、生産現場で実績のある3台のTwin Chambers®で最大6枚のウェーハを同時にプロセス可能な、高スループットのProducerプラットフォームを使用します。