skip to main content

Olympia™ ALD

継続的なプロセスの微細化が、デバイス性能の新境地を牽引しています。デバイスに不可欠な工程数が増加し続けている、三次元NANDやロジックFinFET製造では、ALD(原子層成長)が非常に重要です。ALDで実現されるコンフォーマル性や均一な膜厚は、依然としてCD(限界寸法)管理に必須とされながら、 ALDにはさらに、高品質かつ堅牢な様々な膜を次世代ノードの限定されたサーマルバジェット 内で実現するという、新たな要求が 課せらています。

誘電体とメタル膜のスタンドアロン成膜用のApplied Olympia™ ALD装置は、次世代ノードで平坦かつ三次元のデバイスを製造するために必要な低成膜温度で高品質のALD膜を形成するという、重要な課題を解決し、新たなレベルの高性能ALDを提供します。

今日のALDは、1原子厚の一連の層を重ねることにより、1つの膜を成膜するだけではありません。このプロセスでは、多くの場合、固有の特性をこれらの膜に与えるために必要となる材料エンジニアリング(処理)が同時に行われます。Olympia装置の機能は、従来のソリューションを超越し、柔軟なモジュール設計により、成膜と材料エンジニアリングの2つの機能を実行します。このモジュール設計により、今日の最先端のメモリチップおよびロジックチップを製造するために必要な低成膜温度で高品質の膜を生成するという難題を解決する、比類のないシーケンス能力を提供します。また、その柔軟な設計により、本装置は次世代のデバイスに求められるALD工程の質、多様性、サーマル範囲を実現する上で必要となる多様なプリカーサー およびプロセス/ 処理の組み合わせに対応できます。

Olympiaチャンバでは、異なる化学反応が起きている隔絶されたゾーンの中をウェーハが回転していきます。ここでは、各ウェーハは、2つの化学物質に連続して露出されます。これらの化学物質はウェーハの表面で反応し、コンフォーマルな単分子層の膜を生成します。各露光サイクルで、1つの新たな単分子層膜が成膜されます。処理プロセスは、原子レベルの材料エンジニアリングのシーケンスに組み込むことで、お客様の固有のニーズに対応できます。
 

Olympia ALD装置は、成膜プロセスで使用される個々のプリカーサを確実かつ完全に分離する、革新的な化学管理によって差別化を図っています。この独自の機能は、化学物質が自由に混ざり合った場合に形成される可能性がある、悪影響を及ぼす恐れのある副産物や分子の生成を最小限に抑える上で非常に重要です。このため、本装置では、欠陥品の生成が並外れて少なく、チャンバ洗浄の合間の稼働時間が延長されます。さらに、各々の化学反応後のポンプ/パージ工程をなくし、従来の時間によって分離されるALDに比べ、50%以上も生産性を向上しました。