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Endura® Versa™ XLR W PVD

最先端のデバイスでは、DRAM構造からのデータ転送速度がシステム性能を制限する要素となっています。このデータ転送速度を向上させるためには、より高速な周辺ゲート とコンタクトが必要です。Endura Versa XLR W PVDシステムは、低抵抗のタングステン膜を成長させることで、最も低抵抗なメモリゲート電極を可能にします。

タングステンはプロセスフローや統合のスキームを変更することなく、三次元デバイス構造のゲートスタックに使用することができます。また、設計者には、より柔軟な回路レイアウトが可能になるという利点があります。さらに、従来のPVDタングステン技術と比較してプロセスキットのサービスライフを二倍に延長し、ウェーハ当たりの消耗品コストを10%削減します。