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Endura® PVD 200mm

今日の200mm物理気相成長(PVD)では、より厚く、高い均一性、低い温度での膜生成の課題に焦点を当てています。パワーデバイスの市場では、高速で切り替えができる、より小さなフォームファクタとフットプリントのデバイスが、4μmから100μmを超える厚みのアルミニウム層といった、先進の熱拡散テクノロジーへの要求を牽引しています。

MEMSやCMOSイメージセンサといった新興のアプリケーション、Si貫通電極(TSV)のようなパッケージングテクノロジーが、窒化アルミニウム(AIN)、酸化インジウム錫(ITO)、酸化アルミニウム(Al2O3)、ゲルマニウム(Ge)といった、PVDの開発を牽引しています。

Endura PVD 200mm

アプライド マテリアルズのEnduraプラットフォームは、半導体業界史上、最も成功を収めたメタライゼーションシステムです。アプライド マテリアルズのEnduraプラットフォームは、半導体業界史上、最も成功を収めたメタライゼーションシステムです。Enduraシステムは、従来の性能をはるかにしのぐ画期的なテクノロジー、信頼性、サービスの容易さ、柔軟性により、半導体のメタライゼーションに革命をもたらしました。過去20年間に作られたマイクロチップは、全世界で100を超えるお客様に向けて出荷された、4500以上のEnduraシステムのいずれかを使用して製造されています。

厳しい膜厚の制御、優れたボトムカバレージ、高い均一性にて、幅広い超高純度の膜を生成できるEnduraの能力は、最先端のデバイス製造の鍵となっています。

最大9基のプロセスチャンバが搭載可能なため、さまざまに組み合わせて、統合されたマルチステッププロセス・シークエンスの構築が可能です。コンフィグレーションの自由度が高いEnduraプラットフォームは、お客様の成膜およびデバイス性能に対する要求を確実に満たすために、自然酸化物除去のために2基のプリクリーンチャンバ、6基のPVDチャンバ、オプションで2基のMOCVDチャンバをサポートします。

アップグレード

数千台もの稼働中のEnduraの多くは、元のコンフィギュレーションのままですが、プロセス性能やツールの生産性の改善を提供するいくつもの製品改良が可能です。例えば、クールダウン・チャンバにあったスループットのボトルネックは、チャンバAをパススルーからクールダウンへと変換することにより、排除することができます。ウェーハ位置決めのエラーはEZ LCFによって排除され、タイトなエッジ除外領域の固定プロセスにおけるパフォーマンスを向上し、マルチチャンバ・プロセス・シークエンスに関連するスタックアップ・エラーをなくします。加えて、ウェーハ上の均一性の向上とメンテナンスの低減のため、TxZを含む多くのチャンバのアップグレードが可能です。