skip to main content

Endura® iLB™ PVD/ALD

Centinel™ チャンバを備えたApplied Endura iLB PVD/ALDシステムは、寸法がますます縮小し、統合されるライナー/バリア (iLB)の膜厚が、より大きな割合のタングステン埋め込み工程を必要とする中で、コンタクト抵抗の増大という課題を解決する画期的なソリューションです。

同システムは、コスト効率の高いALD (原子層成長) 技術の用途を提供します。90%以上の被覆率で超薄、均一、高品質のバリア膜を実現し、お客様の既存のiLB PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。プラズマ損傷のリスクあるいは高誘電率 (High-k) 材料の特性への悪影響を最小限に抑えながらTiN膜を堆積することにより、先進のメモリアプリケーションを可能にします。

Centinelの技術により、RE-ALD (ラジカルエンハンスド原子層成長) チャンバをPVD/CVD (物理気相成長/化学気相成長) プロセス プラットフォームに統合し、Endura iLBを増強しました。これにより、タングステンの量を最適化し、32nm以下のロジックデバイスにおけるコンタクト抵抗を低下させます。また、4Xノード組み込みDRAM、DRAM電極、および埋め込みワードライン アプリケーションへの使用も想定しています。

Centinelチャンバによるプロセスで達成された優れたステップカバレージは、フィーチャ内の堆積均一性を最適化する上で必要なバリア膜厚の最薄化を可能にします。タングステン充填の量を最大化しつつ、極薄バリア層が、各ウェーハのプロセスに必要な時間を削減し、高い生産性を実現します。裏面堆積が生じないため、裏面洗浄によって生産性が低下することもありません。このほか、チャンバが稼動するプロセス温度がより低いことも大きな利点であり、再結晶化によるHigh-k材料への損傷を防止します。