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Endura® HAR Cobalt PVD

最先端のデバイスでは、DRAM構造からのデータ転送速度がシステム性能を制限する要素となっています。このデータ転送速度を向上させるためには、より高速な周辺ゲートコンタクトが必要です。Enudura HAR Cobalt PVD システムは、周辺コンタクトの抵抗値を下げ、より低い電圧で高い駆動電流を可能にします。

同システムは、DRAM周辺のダイレクトコンタクトアプリケーション向けに、Siconiプリシリサイドクリーン技術とPVDコバルト、TiNキャップ成膜を統合しています。コバルトシリサイドは、高アスペクト比の周辺コンタクトにおいて最も低い抵抗値を実現し、より低い電圧で高い駆動電流を可能にします。その性能は、CVD チタンシリサイド技術をしのぎます。