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Endura® Extensa™ TTN

Applied Endura Extensa TTNは、デバイス性能を向上させるCu配線への移行に際し、お客様のご希望に応じた装置構成にフレキシブルに対応可能です。その堅牢な成膜テクノロジーは、5xnm以降のFlashおよびDRAMデバイスのバリア成膜に、製造において有用なプロセスを提供します。

業界をリードするEnduraプラットフォームに統合された、同システムの成膜プロセスは、微細化に向けたCuバリア層およびCu-AlまたはCu-W拡散バリア層への要求に応えます。多種多様なPVD工程の要求に応えるため、Extensa TTNチャンバはハードウェアを変更することなく、同一チャンバにて、チタン(Ti)、金属窒化チタン(Metallic TiN)および完全窒化チタン(Fully-nitrided TiN)の成膜が可能です。また、Csライナー、ボンドパッドといったアプリケーションにも対応可能です。

同システムの均一なステップカバレージとシート抵抗(不均一性3% 1σ以下)により、オーバーハングの低減やボイドフリーのギャップフィルを実現する、より薄いバリアスタックの成膜が可能になります。チャンバは床置きで単体のCleanCoat™ アルミニウムキットを装備し、業界最高の欠陥抑制性能(0.12μmにおいて10未満)を提供するほか、他のバリア層成膜システムと比べて、より低い消耗品コスト(CoC)で運用できます。薄膜化および貼り合わせの低減により、ウェーハあたりのCOO(Cost of Ownership)を大幅に削減します。

Extensa TTNはフラックスシェーピング、高イオン化、デュアルマグネット源を採用し、良好なステップカバレージ(0.10μmで40%以下、アスペクト比4:1)を、中央から端まで、および底部と側壁の不均衡を低減(1:1以下)しつつ実現します。側面の電磁石により、プロセスの柔軟な調整が可能になるため、異なったタイプのフィーチャーに対応でき、フィーチャーサイズの変化によるエッチングのばらつきを補正します。