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Endura® CuBS RFX PVD

アプライド マテリアルズは、Applied Endura CuBS (Cuバリア/シード) RFX PVD (物理気相成長) システムにより、CuBS PVD技術を3x/2xノード以降のLogicおよびMemory アプリケーションへの拡張可能にします。SIP (自己イオン化プラズマ) EnCoRe II Ta(N) バリアおよびEnCoRe II RFX Cuシードプロセスチャンバは、高イオン化PVD技術を特徴とし、オーバーハングを最小限に抑え、スムーズな表面形態を実現するだけでなく、低温成膜にて優れた被覆率性能を提供します。

EnCoRe II Ta(N) チャンバの膜厚制御機能により、3x/2xノードでの配線抵抗を低減するためにバリア膜厚の薄膜化を可能にし、卓越した被覆率性能により、優れたエレクトロ マイグレーションとストレス マイグレーション性能を提供します。Cuシード層において、EnCoRe II RFX Cuチャンバは革新的なマグネトロン駆動、フラックス制御、および高いリスパッタ率を実現する技術を採用したため、 優れた被覆率性能をさらに向上させることが可能になります。

これらの技術により、微細化されたデュアル ダマシンやトレンチ構造での埋め込み特性における課題 (例えば、ウェーハ端部における配線終端(end-of-line)ボイドやCMP処理後の欠陥等) を低減し、ECD (電解めっき) での埋め込み性能を拡張します。

Aktiv™ Preclean

微細化に伴い重要性を増す界面処理技術に対応するため、アプライド マテリアルズは、デバイス構造サイズや材料膜特性に影響を与えることなく界面への信頼性を確立に向け、様々なPreclean技術を提供しています。Endura CuBS RFXシステムは、画期的なクリーニング技術を実現したAktiv Precleanを搭載しています。Black Diamond® IIなど、多孔質なLow k層間絶縁膜(ILD) に対して形状の変化無く、有機系残渣を効果的に除去し、CuO膜をクリーニングします。これまでのリアクティブ プリクリーン技術とは異なり、Aktiv Precleanプロセスは誘電率値への影響を最小限に抑えることが可能なため、次世代のLow k絶縁膜への適用も可能となります。

Applied Endura CuBS RFX PVDシステムは、高真空下でTa(N)/Taバリア層を成膜した後、Cuシード層を連続的に成膜することが可能です。革新的な技術をもつAktiv PrecleanチャンバをEnduraプラットフォームに搭載することで可能となる連続処理により、低いビア抵抗および高い信頼性に必須であるlow-k膜の誘電率には影響を与えずに、優れた膜密着性と酸化物の無い界面を実現します。