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Endura® Avenir™ RF PVD

微細化に伴い、高いアスペクト比および構造の脆弱化が懸念される中、これまでのPVD(物理気相成長)技術では、プラズマによるダメージを受けずに、線幅が狭く深い構造内に成膜することがより困難になっています。低電力での高周波(RF)技術を用いたプラズマ技術は、ダメージへの懸念を最小限にし、より均一なプラズマ密度分布を達成します。その結果、より優れたボトムカバレージと均一性を実現します。

Endura AvenirシステムのRF PVD(物理気相成長)技術は、High-k/メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトシリサイド化にも適応可能です。

High-k/メタルトランジスタでは、Avenirシステムはゲートファーストおよびゲートラスト双方の手法に対するソリューションを提供可能なため、チップメーカーはこれら2つのアプローチを容易に移行できます。ゲートファースト用途では、RF PVD技術により、優れた均一性にて連続した薄膜 (10Å未満) の成膜が可能です。ゲートラスト用途では、良好なボトムカバレージと最低限のオーバーハングを実現するため、高圧雰囲気での容量結合プラズマ技術を採用しています。AvenirシステムのRF PVD技術はまた、極薄キャップ層およびメタルゲート層成膜時のダメージによるリスクを最低限に抑え、チャージトラップなしの急峻な界面構造を提供します。同システムの最適化能力により、膜の均一性を損なうことなく、TiN膜の緻密な化学量制御が可能なため、総合的なVt制御を実現します。有効仕事関数(eWF)に関しては、NMOSに対し4.2eV以下、PMOSに対しては5.0eV以上という優れた性能を達成します。NMOSと> 5.0eVの場合高性能のためのPMOS用。

RF PVDシリサイデーションチャンバは、既存のPVD Ni(Pt)プロセスと比較し2倍のボトムカバレージ性能を可能にし、アスペクト比5:1の形状でウェーハ全面に70%以上のボトムカバレッジ率で均一に成膜することが可能です。均一なボトムカバレージ(3%、1σ) は、安定した電気的抵抗とより低いリーク電力を達成するだけでなく、高いプラチナ組成比均一性により、高い歩留まりを実現します。また、これらの優れた性能を従来のPVD Ni(Pt)技術に比べ30%も低い消耗品コスト(CoC)にて達成します。

製造現場で実績のあるEnduraプラットフォームは、High-k/メタル ゲートおよびロジックコンタクトのシリサイド化アプリケーションに対して、斬新な統合能力を提供します。ゲートアプリケーションには、多種多様なPVDチャンバに加え、化学気相成長(CVD)および原子層成長(ALD)チャンバも提供可能です。コンタクトアプリケーションに対しては、Siconi™ プリクリーン、シリサイド化、窒化チタン(TiN)キャッピングプロセスを統合して提供します。