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Centura® Tetra™ Z Photomask Etch

フォトマスクエッチング装置Applied Centura Tetra Zは、10nm世代以降のロジック/メモリデバイス向けの光学リソグラフィーフォトマスクに要求される優れた性能を提供します。新システムでは、前例のないCD性能を達成しつつ、先進の解像度向上技術とクアッドパターニング向けに発展した液浸リソグラフィーに対応するため、業界をリードするTetraプラットフォームの性能を強化しました。

半導体業界が継続的に現状のリソグラフィー技術の限界を拡大していく中で、Tetra Zシステムは、10nmの先進的なバイナリマスクや位相シフトマスク(PSMs)に要求される、究極的な光近接効果補正(OPC)解像度向上技術を実行する上で、重要なシステムとなっています。同システムは、クロム、モリブデンシリコン酸窒化(MoSiON)、ハードマスク、クオーツ(シリカガラス)に比類のない忠実さでパターンを転写し、あらゆる加工寸法とパターン密度において一様なエッチング精度を保ち、実質的にゼロ欠陥を達成します。

優れたフォトマスクCD制御性能と高いエッチング選択比によってさらに薄いフォトレジスト膜の使用が可能になり、重要なデバイス層に一段と微細なフォトマスクCDパターンを施すことができます。CDバイアス制御機能は、お客様特有の要件にも柔軟に対応できます。独自のクオーツエッチング深さ制御機能は、位相角度の精度を確保して交互開口PSMやクロムレス位相リソグラフィーの利用を可能にし、ICのスケーリングを支援します。これらの先進的機能は、チャンバデザイン、プラズマ安定性、イオン・ラジカル・ガス流量・圧力の制御、ならびにリアルタイムのプロセスモニタリングと制御、などの改良によって達成されました。

Madhavi Chandrachood discusses the Tetra™ Photomask Etch system.
 

Tetra Z システムが誇る、幅広いマスクタイプのエッチングへの対応力は、ツール操作の煩雑性、開発サイクルタイム、プロセスライブラリーと専門ユーザーへの依存を最低限に抑えます。過去10年にわたり、世界をリードするフォトマスクメーカーは、最先端のマスクを最高の歩留まりでエッチングすることにおいて、Tetraエッチング装置に信頼を置いてきました。