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Centura® RP Epi

CMOS技術では、PMOSNMOSの2種類のトランジスタが必要です。PMOSでは圧縮性の歪みをチャネルに与える(格子を押し縮める)ことが最も効果的で、これにより水平方向の原子間隔が減少して原子間の結合力が強くなり、ホールの移動度が増大します。NMOSには引っ張り歪み(格子を延ばす)を与えて水平方向の原子間隔を広げ、電子の移動度に悪影響を与える衝突を減らします。

Applied Centura RP Epi システムは、基板形成から選択的SiGeへのin-situドーピングまで、多岐にわたるエピタキシャルソリューションの提供において10年以上におよび業界をリードし、先進のロジック、メモリデバイスにおけるPMOSトランジスタの性能向上に貢献しています。アプライド マテリアルズ独自のエピ技術は優れた膜特性、均一性、比類のない低欠陥レベルを提供します。このような専門知識を生かし、Centura RP Epi システムの処理能力を新たにNMOSトランジスタ用エピのアプリケーション群に拡大し、NMOSの駆動電流(スピード)を20%向上させ、次世代のモバイル技術への対応を可能にしました。この大幅な性能向上はデバイスノードのスケーリングを0.5世代進めた場合に匹敵し、効果的に処理能力を改善して進化を続けるモバイルアプリケーションをより強力にサポートします。

NMOS トランジスタ型アニメーション
PMOS トランジスタ型アニメーション

Centuraプラットフォームに統合されたSiconiテクノロジーは、真空を破ることなく低温、プラズマベースのプレクリーン機能を提供し、最先端技術の真の低温エピを可能にします。これらのステップを統合することにより、HFディップおよびそれに続く高温水素ベークステップが排除され、3x nmノードを超えるデバイスへの挑戦が増えています。さらに、待ち行列時間をなくし、スタンドアロンシステムよりも1桁以上界面汚染を低減します。