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Centura® iSprint™タングステンALD/CVD

Applied Centura iSprintタングステンALD CVDシステムは、アスペクト比4:1から7:1までの構造に完全なコンタクト/ビアフィルを提供し、タングステン技術の能力を20nm/16nmのロジックおよびメモリアプリケーションにまで拡大します。

同システムは、革新的なALDタングステン核形成技術と高スループットSprint CVDタングステンバルクフィルプロセスを組み合わせ、CMP互換のタングステンプラグを提供します。

ALDプロセスは、PVD Ti/MOCVD TiNライナー/バリアとの信頼性の高い、再現性のある統合において優れたバリア性能を維持しつつ、核形成の厚みを標準的なCVDの300Åから12Åまで低減します。

iSprintシステムは、ガスの使用を抑える高速かつ効果的なガスパージを実現する、独自の高速ガス供給システムと、小容量のチャンバを搭載して最適化されたALDチャンバ設計により、高スループットと低い消耗品コストを提供します。