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Centura® EPI 200mm

パワーおよびMEMSデバイスからの要求をサポートするために、デバイスメーカーは厚膜のエピタキシャル層に注目しています。50μmから110μmの幅広い膜厚や、Rs(シート抵抗)、均一性、欠陥密度、厚み、パーティクル性能に対するより厳しい製造誤差により、市場はバッチ式から枚葉式プロセスに移行しつつあります。

Applied Centura Epi装置は、世界中で約900台の200mmチャンバで採用されている、製造現場で実績のある枚葉式マルチチャンバ・エピタキシャル・シリコン成膜装置です。放射加熱された各チャンバは、正確かつ再現性のある成膜条件の制御を提供し、100%滑らない膜、優れた膜厚と抵抗均一性、低い欠陥レベルを実現します。

Centura Epi装置の幅広い温度および圧力、優れた温度均一性、フレキシブルなガスパネル構成は、先進の低温エピタキシャルやゲルマニウム、シリコンゲルマニウムを含む多結晶成膜プロセスを可能にします。加えて、最大3基のプロセスチャンバを搭載可能で、より優れたin-situチャンバクリーニング性能の提供に最適化されたハードウェアにより、市場をリードするスループット密度と低いCOO(Cost of Ownership)を実現します。