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Centura DxZ CVD 200mm

先進のMEMS、パワーデバイス、パッケージング市場での製造を支援するために、先進の200mm化学気相成長テクノロジーに対する需要が高まっています。超厚酸化膜(20µm以上)、低温(180〜350℃)、均一性、低いウエットエッチ率(WER)膜、可変屈折率(RI)が、成長している新興テクノロジーを用いたデバイス製造において要求されています。

これらの膜は、Centura DxZ CVD装置で製造可能な幅広い製品群に含まれています。アプライド マテリアルズの絶縁CVD膜における強みの基礎は、TEOS、シランベースの酸化膜、窒化膜から始まり、先進のチップ製造プロセス、Low-k、歪みエンジニアリング、リソグラフィが可能な膜へと、リーダーシップを拡大していきました。

加えて、Centura DxZ SACVD装置(準常圧CVD)は、幅広いドープ(フォソフィン、ホウ素、フッ素)および非ドープギャップフィルソリューションを提供します。これらのプロセスは、浅溝分離(STI)、プリメタル絶縁膜(PMD)、層間絶縁膜(ILD)、金属配線層間絶縁膜(IMD)といった、アプリケーションに対応します。

Centura DxZ CVDチャンバは非消耗品の抵抗ヒーターとセラミック部品で、コスト、スループット、メンテナンスの容易さと信頼性を飛躍的に向上します。DxZプロセスキットもまた、消耗品は一切使用していません。枚葉式マルチチャンバ・アーキテクチャを活用したCentura DxZは、最大100WPH(3,000Å PE TEOSとプラズマシラン)および55wph(3000Å SACVD USG)のスループットを提供します。左右対称デザインと小容量のチャンバによって、成膜とクリーンな化学反応における、効率的なガス利用を達成し、全般的に低いCOO (Cost of Ownership)に貢献しています。