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Centura® Advantedge™ Mesa™ エッチング装置

Applied Centura AdvantEdge Mesaシリコンエッチング装置は、シャロートレンチ アイソレーション (STI)、埋込型ビット/ワードライン、および32nm以下のダブルパターニングに、オングストロームレベルの精度を実現します。革新的な誘導結合型プラズマ (ICP) 源が、ICP固有のリング状電界結合特性を除去し、均一性を向上させます。中心から端へ向かうプラズマの性質を制御することにより、最大限のプロセス許容度を実現します。

先進のチャンバ材料により、COO(Cost of Ownership)を低減し、可能な限り「クリーンモード」での稼動を実現してスループットを向上させます。また、製造工程で実証されているとおり、初期ウェーハ効果を取り除くことで、ウェーハ間の繰り返し精度を確保します。

AdvantEdge Mesaは、ウェーハエッジ極端部に対する1%未満のエッチング深度の不均一性と、サブnmクラスの寸法バイアス均一性 (3σ) を実現し、他の先進シリコンエッチングツールと比較して、約半分のランニングコストで最大限のウェーハ スループットが可能になります。

Pulsyncは、画期的な同期プラズマパルス機能を追加し、さらに拡張された中性イオン密度のプラズマ制御を実現します。この技術により、3xnmノード以降のクリティカルなシリコンエッチングとパターニングの発展を可能にする、マイクロローディングの低減を実現することができます。Pulsyncは、ラジカル生成に優れた低電子温度プラズマを提供することで、紫外線照射や電化蓄積によるゲートエッチングへの損傷を最小化します。

同システムの先進的な静電チャック端部温度制御は、ウェーハエッジ極端部において温度均一性と温度制御を提供し、ウェーハあたりのダイの歩留まりを向上させます。