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Centris® AdvantEdge™ Mesa™ Etch

Applied Centris AdvantEdge Mesaは、アプライド マテリアルズの最先端のシリコンエッチング装置として、22nm以下の高度なロジックおよびメモリチップの製造に求められる高い加工精度、インテリジェンス、生産性を提供します。業界をリードするAdvantEdge Mesaエッチングチャンバ技術を採用したCentrisシステムは、すべてのウェーハにオングストロームレベルの均一性でナノスケールの回路を形成することができます。この性能は、チップ製造の大量生産において、高い歩留まりを達成するために必要不可欠です。

マイク・ライスがナノスケールの正確性と高い生産性のために設計されたCentrisエッチングプラットフォームをご紹介いたします。

画期的なApplied Centrisプラットフォームは、最大6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバ、計8基のプロセスチャンバを搭載することができます。高速移送ロボットは競合の約2倍に相当する毎時180枚のウェーハ処理を可能にします。

エッチング後のハロゲン残渣を除去する2基のプラズマ洗浄チャンバが真空ロードロックに組み込まれています。この独自の革新により、エッチングプロセスチャンバの数をこれまでになく増やすことができ、従来のエッチング装置と比較して2倍の生産能力を発揮します。

独自の”スマート”システムモニタリングソフトとNIST規格に準拠したトレーサビリティにより、正確に整合された性能を提供する6基のエッチングチャンバは、業界をリードするサブnmの寸法均一性(3σ)をすべてのウェーハに保証します。比類のないウェーハ間の繰り返し精度に加え、Mesa技術はウェーハの端から端まで、真に平坦かつ均一なエッチング加工を実現し、リソグラフィーパターンの正確な転写が可能になり、ダイの歩留まりが飛躍的に向上します。オプションのPulsync技術により、高精度のプラズマ制御を可能にする革新的な同期プラズマパルス性能が付加され、パターニングやエッチングの精度を最適化する際のマイクロローディングを顕著に削減することができます。

チップメーカーの持続可能な製造方針を支援するために設計されたCentirisプラットフォームは、他のメインフレームよりも水やエネルギーの消費を大幅に削減しています。これにより、標準的なエネルギー、水およびガスの消費量がCO2排出量に換算して年間270トン低減され、他のシステムよりも30%も低いCOO(Cost of Ownership)の実現に貢献しています。

Centris AdvantEdge Mesaシステムは、STI(シャロートレンチアイソレーション)、埋込型ビット、ワードライン、ダブルパターニング構造といった、クリティカルなエッチング加工を目的としています。%のエッチング深度の不均一性、サブnmのCD均一性、高い生産歩留まりといったクラス最高レベルの性能により、お客様における回路形状の微細化、リーク電流の制御をサポートし、次世代の極めて複雑なチップ設計の製造を実現します。

SEMI S23 メソッドを使用して計算。** Copyright © 2009 IEEE.本資料はIEEEの許可のもとに掲載しています。IEEEによる掲載許可は、アプライド マテリアルズの製品やサービスを保証するものではありません。本資料の社内および個人での使用は認められています。しかし、宣伝または販促を目的とした本資料の再印刷/再出版、もしくは再販または再配布を目的とした新規の集合著作物の作成については、書面にてpubs-permissions@ieee.orgに連絡して許可を得る必要があります。本資料を閲覧することにより、これを保護する著作権法のすべての条項に同意したとみなされます。
***著作権(2009)米国物理学研究所。同資料は個人的使用のみダウンロードが許可されています。その他のすべての使用には、米国物理学会と著者の許可が必要です。同記事は、The Journal of Applied Physics 106, 1-3305, 2009に掲載されており、http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v106/i10/p103305_s1でも読むことができます。****ECS Transactionの許可のもとに掲載、27 (1) 717-723 (2010)。
**** ECS Transactions、27(1)717-723(2010)の許可を得て掲示されています。Copyright 2010, The Electrochemical Society