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AKT®-PiVot™ DT PVD

アモルファスシリコン、酸化物半導体、低温ポリシリコン向けスパッタリング装置

Applied AKT-PiVot 55K DT PVD、Applied AKT-PiVot 25K DT PVD、およびApplied AKT 55KS PECVDシステムは、高解像度ディスプレイの作成に必要な、より小型で高速な薄膜トランジスタ(TFT)のための酸化物半導体(MO)フィルムおよび技術を提供します。精密な材料工学および生産性イノベーションを通して、これらの装置は、酸化物半導体対応ディスプレイの大量生産向けに最適化され、コスト効率の高いソリューションを提供します。

AKT-PiVot 55K DT PVDおよび25K DT PVDシステムは、フラットパネルディスプレイ用の2200mm x 2500mmおよび1500mm x 1850mmガラス基板上に、TFTや接続層を作成する非常に重要なフィルム層を成膜し、大型テレビの製造、およびモバイルデバイス用のエネルギー効率に優れたディスプレイの製造のための複数の技術ロードマップをサポートします。AKT-PiVotの優れた膜均一性、パーティクル、および安定性性能は、リフレッシュレートが高速の超高解像度(UHD)ディスプレイ向けに、より高速で小型のトランジスタの製造に貢献しています。

独自のロータリーカソード技術により、ターゲット使用効率は、平面ターゲットに比べ、ほぼ3倍向上します。PiVotシステムの各成膜モジュールは、従来の平面ターゲットに比べて寿命が4倍を超える複数の大容量ロータリー ターゲットを搭載しています。PiVotシステムの成膜モジュールは、革新的なプレスパッタ ユニットを採用しており、使用する基板は1枚だけで、ターゲットのコンディショニングをすることができます。他の装置の場合、ターゲットのコンディショニングには最大50枚の基板が必要となります。

AKT-PiVotシステムは、酸化物半導体ベースのTFTでは、ロータリー カソード テクノロジーを使用して、クリティカルなトランジスタ酸化物半導体チャンネル材料であるIGZOを成膜し、非常に優れた膜均一性と安定性を実現しています。AKT-PiVotシステムは、「ムラ現象」を解決することができる唯一のIGZOソリューションです。「ムラ現象」は、酸化物半導体技術がLCDの主流として認められることを妨げる重要な問題点となっています。さらに、PiVotで成膜したIGZOフィルムの高い安定性により、酸化物半導体バックプレーンを有機ELディスプレイに使用することができるようになり、コストを大幅に削減し、大型有機ELテレビを手頃な価格にすることに貢献します。

TFTが小型化し、基板が大型化するにつれ、膜均一性やパーティクルが歩留まりに与える影響が極めて大きくなります。セルフクリーニング機能を持つロータリー ターゲットと方向性プラズマ制御により、従来の平面ターゲットに比べ、欠陥を著しく減らし、優れた膜均一性を実現します。高い性能コストを効果的に提供するため、一つのプラットフォームに独立した2つの処理トラックを搭載し、小さな設置面積で高い生産能力を提供します。堅牢でムラのないガリウム酸化亜鉛(IGZO)フィルムの成膜、均一な低欠陥金属、ピクセル電極、および新しい一体化パッシベーション層(AlOx)の成膜により、非常に柔軟で高い技術性能を提供しています。

PiVotを使用することにより、FPDメーカーは、インターコネクトバスラインをアルミニウムから銅へと移行することができ、次世代の液晶テレビパネルおよびモバイルデバイス用画面で、ピクセル応答の高速化と電力消費の削減を可能にします。PiVotの優れた膜質の鍵となるのが、その独自のロータリーカソードのデザインです。独自の成膜調整技術を使用して、均一な粒度分布、低抵抗、および高い膜厚均一性を持つ銅層を成膜します。さらに、PiVotは、80%を超えるターゲット使用効率を可能にし、高価なターゲット材を大幅に節約することができます。