アプライド マテリアルズ　RF PVD技術を拡張、22nmノードのトランジスタコンタクトに対応

報道資料
2011年3月23日
（日本時間）

アプライド マテリアルズ　RF PVD技術を拡張、
22nmノードのトランジスタコンタクトに対応

アプライド マテリアルズ（Applied Materials, Inc., Nasdaq：AMAT、本社：米国カリフォルニア州サンタクララ、会長兼CEOマイケル・スプリンター）は3月17日（現地時間）、Applied Endura® Avenir™ RF PVD*のアプリケーションを拡張することでニッケル－プラチナ（NiPt）合金の成膜に対応し、22nmノード以降のトランジスタコンタクトへのスケーリングを実現したことを発表しました。トランジスタコンタクト用の高品質NiPt膜はデバイス性能を大きく左右しますが、高アスペクト比（HAR）形状のコンタクトホール底部に成膜するのは容易ではありません。Avenirは、アスペクト比5:1のHARコンタクトホールでも50%以上のボトムカバレージを実現し、均一なコンタクト抵抗と最適な歩留まりを確保するほか、アプライド マテリアルズの従来のチャンバに比べてウェーハ1枚当たりのコストを最大30%引き下げます。

アプライド マテリアルズのバイスプレジデント兼ジェネラルマネージャー（メタル成膜プロダクト部門）、プラブ・ラジャは次のように述べています。「優れたRF PVD技術を拡張したことで、当社は先進的なメタル成膜ソリューションをお客様である半導体装置メーカーへ提供するリーダーシップを発揮し続けます。アプライドRFPVD技術は量産実績のあるテクノロジーを用いているため、半導体メーカーは信頼性の高い低抵抗トランジスタコンタクトを低リスクで形成でき、かつ開発時間を最小限に抑えることが可能となります。Avenirは既に複数のロジックおよびファンドリーメーカーでコンタクトアプリケーションの開発用ツールとして採用されています」

2010年に発表されたアプライド マテリアルズの革新的なRF PVD技術は、信頼と実績のあるEnduraプラットフォームに搭載されています。半導体メーカーはこれを利用することで、最先端の高性能ロジックデバイスに最新のメタルゲートトランジスタ技術を組み込むことができます。Avenirは最適化されたRFソースにより、均一なNiPt膜を直径30nm以下の深いコンタクトホール底部に成膜することが可能となり、コンタクト抵抗の低減とトランジスタ性能の最適化が容易になります。

Endura Avenir技術の詳細については、www.becauseinnovationmatters.comをご覧ください。

アプライド マテリアルズ（Nasdaq: AMAT）は、先進的な半導体、フラットパネルディスプレイ、太陽電池の製造に用いられる革新的な装置、サービスおよびソフトウェアを提供するグローバルリーダーです。アプライド マテリアルズのテクノロジーにより、スマートフォン、薄型テレビ、ソーラーパネルなどの製品が世界中の家庭やビジネスで、より手頃な価格でご利用いただけるようになります。アプライド マテリアルズは、今日のイノベーションを明日の産業へ発展させていきます。

詳しい情報はホームページ：http://www.appliedmaterials.com でもご覧いただけます。

* RF PVD： Radio Frequency Physical Vapor Deposition 高周波物理的気相成長法

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このリリースは3月17日米国においてアプライド マテリアルズが行った英文プレスリリースをアプライド  マテリアルズ ジャパン株式会社が翻訳の上、発表するものです。

アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社（本社：東京都、代表取締役社長：渡辺徹）は1979年10月に設立。京都、大阪支店のほか14のサービスセンターを置き、日本の顧客へのサポート体制を整えています。

このリリースに関する詳しいお問い合わせは下記へ
アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社
社長室： 大橋 百合　(Tel: 03-6812-6801)
ホームページ： http://www.appliedmaterials.com