アプライド マテリアルズ　テラビット時代に向けた画期的なエッチング装置Applied Centura Avatarを発表

報道資料
2012年6月28日
（日本時間）

アプライド マテリアルズ　テラビット時代に向けた画期的なエッチング装置Applied Centura Avatarを発表

• 3D NANDフラッシュのエッチング課題を克服
• 80:1の高アスペクト比形状と、多様な深さの構造を一回でエッチング加工
• チャンバ30基以上をすでに客先に出荷

アプライド マテリアルズ（Applied Materials, Inc., Nasdaq：AMAT、本社：米国カリフォルニア州サンタクララ、会長兼CEOマイケル・スプリンター）は6月27日（現地時間）、最先端のエッチング技術をさらに発展させた絶縁膜エッチング装置Applied Centura® Avatar™を発表しました。この画期的な装置は、3Dメモリの厳しい製造課題の一つを克服し、次世代のモバイル機器に求められるテラビット規模の高密度ストレージを実現するものです。

アプライド マテリアルズのバイスプレジデント兼ジェネラルマネージャー（エッチング事業グループ）、プラブ・ラジャは次のように述べています。「Avatarは当社の先進的なプラズマ技術を活用し、これまで解決されていなかった3Dメモリ構造の製造課題、すなわち複雑な多層材料スタックに深い形状をエッチングするという難題を克服しました。Avatarの画期的な機能はお客様の注目を集めており、次世代のメモリチップのパイロット製造など重要なアプリケーションに向けて、すでに30基以上のチャンバが複数のお客様に出荷されています」

新設計を全面採用したAvatarは、3D NANDメモリアレイに不可欠とされる深く微細な形状のエッチングに対応しています。こうした3Dアレイにより、最大64層ものメモリセルを垂直方向に積層して、小面積できわめて高いビット密度を持つ画期的な新フラッシュデバイスが実現します。

Avatarは、複雑な積層膜に最大アスペクト比（深さ：幅）80:1のホールやトレンチをエッチングすることができます。（この割合を示す参考として、ワシントン記念塔‐ワシントンD.C.中心部にそびえる白い尖塔‐のアスペクト比はわずか10:1です。）またこの装置は、深さが大幅に異なる形状を、同時かつ精密にエッチングすることができます。これは、各メモリセル層と外部を接続する階段状のコンタクト構造を形成する上で、不可欠な機能です。

アプライド マテリアルズは、Avatarをはじめとするいくつかの新しい半導体製造技術を、7月10日～12日にかけて開催されるSEMICON West 2012で紹介する予定です。同イベントの会期前および会期中にアプライド マテリアルズが行う催しについては、www.appliedmaterials.com/semicon-west-2012をご参照ください。

アプライド マテリアルズ（Nasdaq: AMAT）は、先進的な半導体、フラットパネルディスプレイ、太陽電池の製造に用いられる革新的な装置、サービスおよびソフトウェアを提供するグローバルリーダーです。アプライド マテリアルズのテクノロジーにより、スマートフォン、薄型テレビ、ソーラーパネルなどの製品が世界中の家庭やビジネスで、より手頃な価格でご利用いただけるようになります。アプライド マテリアルズは、今日のイノベーションを明日の産業へ発展させていきます。

詳しい情報はホームページ：http://www.appliedmaterials.com でもご覧いただけます。

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このリリースは6月27日米国においてアプライド マテリアルズが行った英文プレスリリースをアプライド  マテリアルズ ジャパン株式会社が翻訳の上、発表するものです。

アプライド マテリアルズ ジャパン株式会社（本社：東京都、代表取締役社長：渡辺徹）は1979年10月に設立。京都、大阪支店のほか13のサービスセンターを置き、日本の顧客へのサポート体制を整えています。

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