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酸化物半導体

酸化物半導体は、アモルファスシリコン(a-Si)の最大10倍の電子移動度を示します。主な酸化物半導体の候補は、インジウムガリウム酸化亜鉛(IGZO)です。

IGZOの方が移動度が高いので、高精細テレビや3Dテレビの画面に、最大480Hzのリフレッシュレートが可能になります。また、より小型のトランジスタに対応し、ピクセルの小型化によって、より高い画面解像度やより長いバッテリー寿命を実現できます。酸化物半導体トランジスタの製造には、a-Siトランジスタに使用されるプラズマ強化化学気相成長(PECVD)テクノロジー以上のものが必要です。IGZOフィルムは、物理気相成長(PVD)プロセスを使用して成膜されます。プラズマCVDプロセスを使用して成膜されたSiO2誘電フィルム層によって、金属を劣化する可能性がある水素汚染から保護されます。